الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: أثر هول الكمي
-
تأثير هول غير الخطي الجوهري خارج هندسة بلوتش
2026 | المؤلف: Raffaele Resta | المجلة: Physical review. B./Physical review. B | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في ال، يناقش المؤلفون العلاقة بين الهيكل البلوري لنظام ما وموصلية هول الخاصة به، والتي يرمز لها بـ $\sigma^{(ps)}_{\alpha\beta\gamma}$. يبرزون أن المكون الرئيسي لهذه الموصلية يمكن التعبير عنه من خلال انحناء الحزمة الذي يعتمد على متجه بلوتش والمجال الكهربائي. يشير المؤلفون إلى أنه بينما يتماشى صياغة مجموع الحالات مع الأدبيات الموجودة، فإن تمثيل الانحناء المضغوط…
-
الموصلية الفائقة للأنيونات وانتقالات الهضبة في العوازل الكمية الشاذة المدعومة
2026 | المؤلف: P. A. Nosov وآخرون | المجلة: Physical Review Letters | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذا القسم، يناقش المؤلفون النتائج الأخيرة المتعلقة بالتوصيل الفائق وحالات العوازل الكمية الشاذة الصحيحة (RIQAH) التي لوحظت عند إضافة الشوائب إلى حالات Hall الكمية الشاذة الكسرية (FQAH) عند $\nu_e = 2/3$ في MoTe2 الملتوي. يقترحون أن سلوك الأنيونات، التي تمتلك عادة كتلة فعالة محدودة وتوصف بواسطة الفيرميونات المركبة من الأنيونات (CFs)، يمكن فهمه من…
-
عازل تشيرن الكسري وبلورة هول الكمية الشاذة في MoTe2 الملتوي
2026 | المؤلف: Jialin Chen وآخرون | المجلة: Science Bulletin | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)يتناول هذا القسم من ورقة البحث اكتشاف حالات العازل الشاذ الجزئي (FCI) في أنظمة MoTe2 الملتوية (tMoTe2) دون وجود مجال مغناطيسي مطبق، مع تسليط الضوء على التحديات النظرية في فهم تأثيرات التفاعل على الأطوار الطوبولوجية. يقوم المؤلفون بتطوير نموذج شبكة موير خاص لـ tMoTe2 ويستخدمون طرق الشبكة التنسورية المتقدمة في تحقيقاتهم. تكشف حساباتهم لحالة الأرض…
-
نحو تأثير هول الكمي الشاذ في MnBi2Te4 المغطاة بـ AlOx
2025 | المؤلف: Yongqian Wang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تتناول ورقة البحث تأثير هول الشاذ الكمي في المغناطيس المضاد الطبقي MnBi$_2$Te$_4$، مع تسليط الضوء على إمكانياته للأجهزة الإلكترونية منخفضة الطاقة والإلكترونيات المغناطيسية المضادة الطوبولوجية. يعتبر MnBi$_2$Te$_4$ فريدًا كونه المادة الوحيدة المعروفة التي تظهر هذا التأثير، ومع ذلك، لا تزال هناك تحديات، لا سيما في تحقيق التكميم عند وجود مجال مغناطيسي صفر بسبب صعوبات في…