الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: المجال المغناطيسي
-
المغناطيسية الفيريمغناطيسية المعوضة بالكامل ثنائية الأبعاد
Two-Dimensional Fully Compensated Ferrimagnetismفي هذا القسم، يوضح المؤلفون الطرق الحسابية المستخدمة للتحقيق في المواد NiICl و CrI(_3) و YI(_2) و CrMoC(_2)S(_6). تم إجراء حسابات من المبادئ الأولى باستخدام حزمة محاكاة فيينا (VASP)، مع تقريب التدرج العام (GGA) القائم على دالة بيردو-بورك-إرنزرهوف (PBE). تم تضمين تأثيرات المجال الكهربائي باستخدام معلمات مثل EFIELD و IDIPOL. تم إجراء حسابات الفونون عبر…
-
أثر الثنائي الفائق التوصيل الخالي من المجال عند درجات حرارة مرتفعة في مركبات الكوبريت عالية درجة الحرارة
High-temperature field-free superconducting diode effect in high-Tc cupratesقسم “الطرق” في ورقة البحث يوضح الإجراءات التجريبية والتحليلية المستخدمة للتحقيق في سؤال البحث. يوضح اختيار المشاركين، وتصميم الدراسة، والتقنيات المحددة المستخدمة لجمع البيانات وتحليلها. تشمل المنهجية كلاً من الأساليب النوعية والكمية، مما يضمن فحصاً شاملاً للموضوع. تم إجراء التحليلات الإحصائية باستخدام برامج مناسبة لتقييم دلالة النتائج. يصف القسم أيضاً أي نماذج رياضية أو معادلات…
-
استغلال تأثير هول المداري في ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية ذات العزم الدوراني للسبين
Harnessing orbital Hall effect in spin-orbit torque MRAMتقدم هذه القسم نظرة عامة على ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية (MRAM) ذات عزم الدوران المداري (SOT)، مع التركيز على مزاياها مقارنةً بـ RAM الثابتة، مثل كفاءة الطاقة المحسنة، وعدم التقلب، والأداء، خاصةً لتطبيقات ذاكرة التخزين المؤقت. تركز الدراسة على هندسة مغناطيسية ذات أنيسوتروبية مغناطيسية عمودية (PMA)، وتحديداً هيكل [Co/Ni]₃، مع طبقات مختلفة تظهر تأثير هول…