تقدم هذه القسم تحقيقًا في مقاومة المغناطيسية النفقية (TMR) لنظام ثنائي الطبقات يتكون من مغناطيسات موجة X، تحديدًا للقيم X = p، d، f، g، i، حيث تمثل d، g، وi المغناطيسات البديلة. يستنتج المؤلفون صيغة تحليلية عالمية لنسبة TMR، والتي تُعبر عنها كنسبة تتناسب مع \(|J| / (N_X \Gamma)\) لقيم صغيرة من \(\Gamma\)، حيث…

في هذه الدراسة، نحقق في الظواهر غير الخطية للنقل في سائل إلكتروني ثنائي الأبعاد لزج محصور داخل قنوات ضيقة من GaAs. يظهر مقاومة مغناطيسية تفاضلية ملحوظة سلوكًا غير أحادي، مما يدل على اقتران الإلكترونات ضمن النظام الهيدروديناميكي. تتماشى نماذجنا النظرية، التي تأخذ في الاعتبار تأثيرات تفاعلات الإلكترونات على استرخاء إجهاد القص وتغيرات اللزوجة بسبب تسخين…

يقدم هذا القسم من ورقة البحث تحقيقًا نظريًا في المغناطيسية البديلة وتطبيقها في الإلكترونيات المغناطيسية، تحديدًا من خلال تصميم جهاز ساندويتش مغناطيسي بديل عالمي يهدف إلى تحقيق تأثير مقاومة مغناطيسية النفق (TMR). باستخدام طريقة دالة غرين غير التوازنية جنبًا إلى جنب مع صيغة لاندور-بيوتيكر، يستنتج المؤلفون تعبيرات عن التوصيل ونسبة TMR، كاشفين أن TMR يمكن…