في هذه الدراسة، نحقق في الظواهر غير الخطية للنقل في سائل إلكتروني ثنائي الأبعاد لزج محصور داخل قنوات ضيقة من GaAs. يظهر مقاومة مغناطيسية تفاضلية ملحوظة سلوكًا غير أحادي، مما يدل على اقتران الإلكترونات ضمن النظام الهيدروديناميكي. تتماشى نماذجنا النظرية، التي تأخذ في الاعتبار تأثيرات تفاعلات الإلكترونات على استرخاء إجهاد القص وتغيرات اللزوجة بسبب تسخين…