تبحث الدراسة في خصائص النقل لغازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (2DEGs) في هياكل الألمنيوم سكنديم نيتريد (AlScN)/نيتريد الغاليوم (GaN)، مع تسليط الضوء على إمكاناتها كمواد حواجز لترانزستورات متقدمة تعتمد على GaN في تطبيقات الترددات الراديوية. تسجل الدراسة أدنى قيم مقاومة ورقية لأنظمة AlScN حتى الآن، والتي تم تحقيقها من خلال إدخال طبقات بينية من GaN/AlN في…