في هذه الدراسة، نقدم تطوير عناصر الذاكرة غير المتطايرة من نوع وصلة النفق المغناطيسي (MTJ) المتوافقة مع CMOS، والتي تتميز بكثافات تيار تبديل منخفضة تبلغ حوالي $10 \, \text{MA/cm}^2$ ومدة نبضة كتابة قصيرة تبلغ 0.5 نانوثانية. يُعزى هذا التقدم إلى تنفيذ طبقة ذاكرة هيزلر الفيريمغناطيسية، التي تظهر مغنطة تشبع أقل بحوالي ست مرات من تلك…