تقدم هذه القسم نظرة عامة على ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية (MRAM) ذات عزم الدوران المداري (SOT)، مع التركيز على مزاياها مقارنةً بـ RAM الثابتة، مثل كفاءة الطاقة المحسنة، وعدم التقلب، والأداء، خاصةً لتطبيقات ذاكرة التخزين المؤقت. تركز الدراسة على هندسة مغناطيسية ذات أنيسوتروبية مغناطيسية عمودية (PMA)، وتحديداً هيكل [Co/Ni]₃، مع طبقات مختلفة تظهر تأثير هول…