تقدم هذه الدراسة طريقة جديدة للتحكم في نمو مصدري الكم من نيتريد الغاليوم (GaN) على ركائز السيليكون، باستخدام تقنية نمو البخار العضوي المعدني المدمجة مع معالجة السيلاين. تتيح هذه الطريقة وضع مصدري الكم بدقة على أعماق محددة داخل الهيكل البلوري، متجاوزة القيود التي فرضتها الطرق السابقة التي أدت إلى أعماق غير متحكم بها للمصادر على…