تبحث الدراسة في الاقتران المغناطيسي الكهربائي في الألترمغناطيس، الذي يجمع بين خصائص المغناطيسات الحديدية والمغناطيسات المضادة، مما يقدم فرصًا جديدة لذاكرة عالية الكثافة وأجهزة سبينترونيك فعالة من حيث الطاقة. تركز الدراسة على هيكل متعدد الطبقات من GaSe-VPSe3-GaSe، حيث يمكن تبديل النظام المغناطيسي بين الحالات الألترمغناطيسية والمضادة التقليدية من خلال التلاعب بالتماثل العكسي المكاني وتماثل عكس…