الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: مقاومة مغناطيسية نفقية
-
تقاطعات مغناطيسية ذرية ملتوية بحالات غير متطايرة متعددة Twisted atomic magnetic tunnel junctions with multiple nonvolatile states
2026 | المؤلف: Yuliang Chen وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تناقش هذه القسم التقدم في تقاطعات النفق المغناطيسي (MTJs) باستخدام مغناطيسات ثنائية الأبعاد (2D)، مع التركيز بشكل خاص على المغناطيسات المضادة المغناطيسية الملتوية (AFMs). يقدم المؤلفون نهجًا جديدًا لتقاطعات النفق المغناطيسي تتكون من طبقة أحادية مغناطيسية حديدية من CrSBr وطبقة ثنائية مضادة مغناطيسية من CrSBr، والتي تظهر حالتين غير متطايرتين متميزتين وتحقق مقاومة مغناطيسية للنفق…
-
تقاطعات نفق هويزلر المغناطيسية الفيريمغناطيسية مع تبديل عزم الدوران السريع المدعوم بتخفيض المغنطة
2025 | المؤلف: Chirag Garg وآخرون | المجلة: Nature Nanotechnology | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذه الدراسة، نقدم تطوير عناصر الذاكرة غير المتطايرة من نوع وصلة النفق المغناطيسي (MTJ) المتوافقة مع CMOS، والتي تتميز بكثافات تيار تبديل منخفضة تبلغ حوالي $10 \, \text{MA/cm}^2$ ومدة نبضة كتابة قصيرة تبلغ 0.5 نانوثانية. يُعزى هذا التقدم إلى تنفيذ طبقة ذاكرة هيزلر الفيريمغناطيسية، التي تظهر مغنطة تشبع أقل بحوالي ست مرات من تلك…