تخطى إلى المحتوى
العالِم العربي
  • الصفحة الرئيسية
  • مجالات الأبحاث
  • عن الموقع
  • تواصل معنا
  1. الرئيسية
  2. قائمة الكلمات المفتاحية
  3. منحدر تحت العتبة

الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: منحدر تحت العتبة




  • أفلام العوازل عالية الكثافة HfO2 على مقياس الرقاقة بسماكة أكسيد تعادل أقل من 5 أنغستروم لترانزستورات MoS2 ثنائية الأبعاد

    2026 | المؤلف: Songge Zhang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)

    في هذا القسم، يناقش المؤلفون أهمية العوازل عالية الكثافة (high-κ) في تكنولوجيا الترانزستورات الحديثة، وخاصة لتعزيز التحكم السعوي وتقليل تيارات التسرب. يسلطون الضوء على التحديات المرتبطة بتحقيق عوازل عالية الكثافة متوافقة مع الصناعة بسمك أكسيد مكافئ (EOT) أقل من 5 أنغستروم. تقدم الدراسة تصنيعًا ناجحًا لعوازل أكسيد الهافنيوم (HfO₂) بسمك 1.3 نانومتر باستخدام عملية ترسيب…


حقوق النشر © 2026 العالِم العربي. جميع الحقوق محفوظة. موقع العالِم العربي غير مسؤول عن محتوى المواقع الخارجية.