الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: منحدر تحت العتبة
-
أفلام العوازل عالية الكثافة HfO2 على مقياس الرقاقة بسماكة أكسيد تعادل أقل من 5 أنغستروم لترانزستورات MoS2 ثنائية الأبعاد
2026 | المؤلف: Songge Zhang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)في هذا القسم، يناقش المؤلفون أهمية العوازل عالية الكثافة (high-κ) في تكنولوجيا الترانزستورات الحديثة، وخاصة لتعزيز التحكم السعوي وتقليل تيارات التسرب. يسلطون الضوء على التحديات المرتبطة بتحقيق عوازل عالية الكثافة متوافقة مع الصناعة بسمك أكسيد مكافئ (EOT) أقل من 5 أنغستروم. تقدم الدراسة تصنيعًا ناجحًا لعوازل أكسيد الهافنيوم (HfO₂) بسمك 1.3 نانومتر باستخدام عملية ترسيب…
