تتناول الأبحاث الطلب المتزايد على الذاكرات الفيروكهربائية المرنة عالية الأداء، خاصة في سياق الأجهزة القابلة للارتداء. يقدم المؤلفون ترانزستور تأثير المجال المرن (FeFET) جديد يدمج HfO₂ المخلوط بالزركونيوم (HZO) وأكسيد القصدير الإنديوم فائق الرقة (ITO)، محققًا ميزانية حرارية تقل عن 400 درجة مئوية. يظهر هذا الـ FeFET نافذة ذاكرة (MW) تبلغ 2.78 فولت، ونسبة تيار…