الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: نقاط الكم Si/SiGe
-
قياس تسخين النبض في نقاط الكم السيليكون مع متذبذبات ثنائية المستوى فردية Measuring pulse heating in Si quantum dots with individual two-level fluctuators
2026 | المؤلف: Feiyang Ye وآخرون | المجلة: Physical Review Applied | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذه الدراسة، يبحث المؤلفون في ظاهرة تسخين النبضات في الكيوبتات المغناطيسية شبه الموصلات، تحديدًا داخل نقاط الكم Si/SiGe. يحددون أن نبضات الجهد اللازمة لعمليات الكيوبت تؤدي إلى زيادة معدلات التبديل والتحيزات في الشواغر القريبة من المتذبذبات الثنائية المستويات المشحونة (TLFs). تكشف الأبحاث أن مدى التسخين يتأثر بسعة وتردد نبضات الجهد، بينما لا تؤثر المسافة…
