الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: 4H-SiC

الهندسة عالية العائد وتحديد الفجوات الثنائية المعدلة المتعلقة بالأكسجين في 4H-SiC High‐Yield Engineering and Identification of Oxygen‐Related Modified Divacancies in 4H‐SiC

2026 | المؤلف: Qi Hu وآخرون | المجلة: Advanced Materials | المجال: كيمياء المواد (Materials Chemistry)

تقدم البحث طريقة جديدة للهندسة عالية العائد وتحديد الشوائب المرتبطة بالأكسجين في الثنائيات المعدلة في نوع 4H من كربيد السيليكون (SiC) من خلال زراعة أيونات الأكسجين. ينجح الدراسة في تحديد أربعة أنواع متميزة من الثنائيات المعدلة، تتميز بخصائصها البصرية الفريدة وخصائص الرنين المغزلي. ومن الجدير بالذكر أن أكثر من 90% من سكان العيوب يتكون من…