الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: GaAs المزروعة في درجات حرارة منخفضة

تعزيز انبعاث THz ونقل الإثارة في الهياكل غير المتجانسة MoS 2 /GaAs أحادية الطبقة Enhanced THz Emission and Exciton Transfer in Monolayer MoS 2 /GaAs Heterostructures

2026 | المؤلف: Choudhury Abinash Bhuyan وآخرون | المجلة: Advanced Photonics Research | المجال: كيمياء المواد (Materials Chemistry)

تقدم هذه البحث نهجًا جديدًا لتعزيز انبعاث التيراهيرتز (THz) من خلال دمج شبه موصل ثنائي الأبعاد (2D) ذو فجوة نطاق مباشرة، وهو طبقة أحادية من MoS2 (1L-MoS2)، مع زرنيخيد الغاليوم (GaAs) المزروع في درجات حرارة منخفضة. الهيكل العمودي الناتج من فاندرفالس يظهر زيادة بنسبة 15% في انبعاث THz مقارنةً بـ GaAs العاري، ويعزى ذلك إلى…