الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: Si:P

نهج DFT-1/2 دقيق لحالات العيوب الضحلة: حساب فعال لطاقة ارتباط المانحين في السيليكون An accurate DFT-1/2 approach for shallow defect states: efficient calculation of donor binding energies in silicon

2026 | المؤلف: Joshua Claes وآخرون | المجلة: npj Computational Materials | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

التنبؤ الدقيق بالطاقة المرتبطة بالإلكترونات المانحة السطحية أمر ضروري لنمذجة الأجهزة بشكل فعال، وتفعيل الشوائب، وتقدم تقنيات الكم المعتمدة على المانحين. غالبًا ما تكون الطرق التقليدية التي تتجاوز نظرية الكثافة الوظيفية (DFT) مكلفة حسابيًا للغاية بالنسبة للخلايا الفائقة الكبيرة اللازمة لالتقاط الدوال الموجية الهيدروجينية الممتدة. بالمقابل، تميل DFT شبه المحلية إلى التقليل من فجوات الطاقة…