تخطى إلى المحتوى
العالِم العربي
  • الصفحة الرئيسية
  • مجالات الأبحاث
  • عن الموقع
  • تواصل معنا
  1. الرئيسية
  2. قائمة الموضوعات الرئيسية
  3. أجهزة الفيروكهربائية والسعة السلبية

الأبحاث ضمن الموضوع : أجهزة الفيروكهربائية والسعة السلبية




  • كتابة قدرة التحمل في الدراجات التي تتجاوز 1010 في ألومنيوم سكندنيوم الفيروكهربائي تحت 50 نانومتر

    2026 | المؤلف: Hyunmin Cho وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)

    تسلط الأبحاث الضوء على التقدمات الكبيرة في قدرة التحويل القطبي لمادة نيتريد الألمنيوم والسكنديم (AlScN)، وهي مادة فيروإلكتريك من نوع وورتزيت مع تطبيقات محتملة في الذاكرات غير المتطايرة. أفادت الدراسات السابقة بقدرة دورانية تبلغ حوالي \(10^7\) دورة بسبب الحقول القسرية العالية التي تتجاوز \(3 \, \text{MV/cm}\). في المقابل، تحقق هذه الدراسة قدرة استثنائية تزيد عن…


  • تحسين خصائص تبديل الاستقطاب للأفلام الرقيقة جدًا من HfO2 عبر التشارك في التبرع بالقبول

    2024 | المؤلف: Chao Zhou وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)

    في مجال الذاكرات الفيروكهربائية، تعتبر الفيروكهربائيات المعتمدة على HfO₂ بارزة لتوافقها الممتاز مع تقنية CMOS وقابلية التوسع. ومع ذلك، فإن قطبيتها القابلة للتبديل وسرعات التبديل لديها أقل مقارنة بالفيروكهربائيات البيروفيسكيت. تعتبر العيوب داخل HfO₂ حاسمة لاستقرار طورها القطبي غير المستقر، لكنها أيضًا تثبت جدران المجال، مما يعيق عملية التبديل ويؤدي إلى سرعات تبديل أبطأ. تقدم…


  • ترانزستورات تأثير الحقل الفيروكهربائية عالية الأداء بقنوات أكسيد القصدير الهندي فائقة الرقة للإلكترونيات المرنة والشفافة

    2024 | المؤلف: Qingxuan Li وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)

    تتناول الأبحاث الطلب المتزايد على الذاكرات الفيروكهربائية المرنة عالية الأداء، خاصة في سياق الأجهزة القابلة للارتداء. يقدم المؤلفون ترانزستور تأثير المجال المرن (FeFET) جديد يدمج HfO₂ المخلوط بالزركونيوم (HZO) وأكسيد القصدير الإنديوم فائق الرقة (ITO)، محققًا ميزانية حرارية تقل عن 400 درجة مئوية. يظهر هذا الـ FeFET نافذة ذاكرة (MW) تبلغ 2.78 فولت، ونسبة تيار…


حقوق النشر © 2026 العالِم العربي. جميع الحقوق محفوظة. موقع العالِم العربي غير مسؤول عن محتوى المواقع الخارجية.