تخطى إلى المحتوى
العالِم العربي
  • الصفحة الرئيسية
  • مجالات الأبحاث
  • أحدث الأبحاث
  • عن الموقع
  • تواصل معنا
  1. الرئيسية
  2. قائمة الموضوعات الرئيسية
  3. الخصائص المغناطيسية للأفلام الرقيقة

الأبحاث ضمن الموضوع : الخصائص المغناطيسية للأفلام الرقيقة




  • تبادل مضبوطة بالتواء وذاكرة في مغناطيس ثنائي الطبقة من فان دير وال

    2026 | المؤلف: Priyanka Mondal وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تناقش هذه القسم تأثير التواء ثنائي الطبقات CrSBr، وهو مغناطيس فان دير فالس، على خصائصه الإلكترونية والمغناطيسية. يظهر المؤلفون أن التواء بحوالي 3° يؤدي إلى تغييرات كبيرة في تفاعلات التبادل بين الطبقات، مما يؤدي إلى وجود هيسترسيس مغناطيسي قوي. يتم إثبات هذا الهيسترسيس من خلال تطور طاقة الإثارة المعتمد على المجال، والذي يعكس التكوين المغناطيسي…


  • المغونات ذات العمر الطويل جداً في الحد الكمي

    2026 | المؤلف: Rostyslav O. Serha وآخرون | المجلة: Science Advances | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تقدم البحث تقدمًا كبيرًا في مجال تقنيات المعلومات الكمومية في الحالة الصلبة باستخدام الكوانتوم بوزوني، وتحديدًا الماجنون. تقليديًا، كانت فترة التماسك للأنظمة الكمومية مقيدة بفترات حياة الكوانتوم بوزوني القصيرة، حيث كانت الماجنون تظهر فترات حياة محدودة تصل إلى بضع مئات من النانوثانية. ومع ذلك، يُبلغ هذا البحث عن اختراق، حيث يُظهر أن فترات حياة الماجنون…


  • النواة المستحثة بالليزر للهوبيونات المغناطيسية

    2026 | المؤلف: X Chen وآخرون | المجلة: Nature Physics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    في هذه الدراسة، يحقق المؤلفون في تشكيل وملاحظة الهوبفيونات المعزولة، وهي سوليتونات طوبولوجية ثلاثية الأبعاد تتميز بحلقات مغلقة من خيوط الدوامة، في المغناطيس الحلزوني المكعب FeGe. كانت الملاحظات السابقة للهوبفيونات محدودة بالتكوينات المرتبطة بخيوط السكيرميون، لكن المؤلفين يثبتون بنجاح نواة الهوبفيونات المعزولة الناتجة عن الليزر باستخدام مجهر الإلكترون الناقل. يقومون بتحديد شروط النواة بشكل منهجي…


  • هندسة الطيف المغنوني في مغناطيس مضاد للعزل

    2026 | المؤلف: V. Radovskaia وآخرون | المجلة: Nature Physics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تسلط الأبحاث الضوء على إمكانيات نبضات الضوء الفيمتوثانية في التلاعب بالديناميات فائقة السرعة داخل المواد المضادة للمغناطيسية (AFMs)، مع التركيز بشكل خاص على إثارة الماجنون – أوضاع الموجات المغناطيسية الجماعية التي تعمل عند ترددات التيراهيرتز (THz). تُظهر الدراسة أن الإثارة الضوئية الرنانة فوق فجوة الطاقة في DyFeO3، وهو مادة مضادة للمغناطيسية عازلة، تؤدي إلى إعادة…


  • المغناطيسية المرنة – العلاقة بين الهيكل المغناطيسي – دراسة نظام MnPt الرباعي

    2026 | المؤلف: Jakub Šebesta وآخرون | المجلة: Journal of Alloys and Compounds | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تبحث الدراسة في الخصائص المغناطيسية المرنة لنظام MnPt المضاد للمغناطيسية، مع تسليط الضوء على أهميتها في التطبيقات الصناعية مثل المحركات الصوتية وأجهزة الاستشعار. على عكس المواد المغناطيسية، حيث تكون تأثيرات المغناطيسية المرنة بارزة، تكشف الدراسة أن الاستجابة المغناطيسية المرنة في MnPt أضعف بكثير بسبب ترتيبها المضاد للمغناطيسية. يحلل المؤلفون طاقة التباين المغناطيسي البلوري ومكونات المعاملات…


  • تبديل المغنطة الثابتة في طبقة متعددة مضادة للمغناطيسية الاصطناعية مدفوعة بتأثير أنيسوتروبي مغناطيسي يتحكم فيه الجهد

    2026 | المؤلف: Hiroyasu Nakayama وآخرون | المجلة: Nature Materials | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    في هذا القسم، يقدم المؤلفون نتائجهم حول التوجه المغناطيسي المعتمد على الجهد (VCMA) الذي يحفز تبديل عزم الدوران الناتج عن نقل الدوران (VCMA-SMS) باستخدام طبقات مضادة مغناطيسية صناعية. لقد تمكنوا بنجاح من التلاعب بالتبادل الفعال بين الطبقات (IEC) للمغناطيس المضاد الصناعي من خلال الجهد المطبق، محققين VCMA-SMS موثوق تحت مجال مغناطيسي ثابت. يتناقض هذا النهج…


  • التكوين الفائق السرعة للبولارونات من نوع جان-تيلر كما تم الكشف عنه بواسطة الإثارة الانتقائية للحالة في سبينيل Co 3 O 4 المرتبط

    2026 | المؤلف: Simone Restelli وآخرون | المجلة: Journal of the American Chemical Society | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    في هذه الدراسة، يحقق المؤلفون في بولارونات جان-تيلر في سبينل Co$_3$O$_4$، وهو أكسيد معدن انتقالي (TMO) معروف بتفاعلاته الإلكترونية والدورانية والشبكية المعقدة. تنشأ بولارونات جان-تيلر من كسر التناظر وترابط قوي محلي بين الإلكترونات والفونونات، حيث يتفاعل حامل الشحنة الزائدة مع تشوهات الشبكة الناتجة عن تأثير جان-تيلر. تظهر الأبحاث أنه من خلال إثارة الانتقالات الإلكترونية عند…


  • تأثير هول الطبقي الناتج عن المغناطيسية البديلة

    2026 | المؤلف: Fang Qin وآخرون | المجلة: Physical review. B./Physical review. B | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    في هذه الدراسة، يقترح المؤلفون طريقة لتحقيق تأثير هول الطبقي في العازل الطوبولوجي الفيرومغناطيسي Bi\(_2\)Se\(_3\) من خلال القرب من الألترمغناطيسيات ذات الموجة d. يوضحون أن تطبيق مجال مغناطيسي في المستوى بالقرب من سطح واحد، بالتزامن مع الألترمغناطيس، يغلق مخروط ديراك المقابل، مما يؤدي إلى تأثير هول نصف كمي ناتج عن الألترمغناطيس. عندما يتم وضع الألترمغناطيسيات…


  • تأثير هول في المستوى المكعب المغناطيسي العملاق في مادة غير مغناطيسية

    2026 | المؤلف: Jie Chen وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تناقش هذه الفقرة التقدمات الأخيرة في دراسة تأثير هول في المستوى، وخاصة في المواد غير المغناطيسية، والتي حظيت باهتمام تجريبي كبير. تقليديًا، كانت الأبحاث تركز على المواد المغناطيسية، حيث تعقد الترتيبات المغناطيسية تفسير النتائج وغالبًا ما تؤدي إلى أحجام إشارة محدودة. تقدم هذه الورقة اكتشافًا رائدًا لتأثير هول العملاق في المركب غير المغناطيسي نصف هيوسلي…


  • نظرية الميكروماجنيتية المنتظمة لنقاط بلوتش

    2026 | المؤلف: Vladyslav M. Kuchkin وآخرون | المجلة: Communications Physics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    في هذا القسم، يتناول المؤلفون قيود نظرية الميكرو مغناطيسية الكلاسيكية في وصف التفردات المغناطيسية المعروفة باسم نقاط بلوتش (BPs)، والتي تنشأ من فرضية طول ثابت لمتجه المغنطة. إن تباعد المجال الفعال عند نقاط بلوتش يتطلب نهجًا جديدًا، مما يؤدي إلى اقتراح نموذج ميكرو مغناطيسي منتظم. في هذا النموذج، يُسمح لمتجه المغنطة بالتغير في الطول مع…


1 2 3 … 8
التالي→

حقوق النشر © 2026 العالِم العربي. جميع الحقوق محفوظة. موقع العالِم العربي غير مسؤول عن محتوى المواقع الخارجية.