تقدم هذه البحث تقنية نمو أحادية الكتلة، من خطوتين، للنقاط الكمومية (QDs) من InGaAs التي يتم التحكم فيها بالموقع باستخدام طريقة المثبت المدفون، مما يحقق تحكمًا دقيقًا في كثافة النقاط الكمومية المحلية. تشير الدراسة إلى إزاحة جانبية طفيفة لفتحات المثبت المدفون، تم قياسها عند $17^{+19}_{-17}$ نانومتر من مراكز الميسا، مما يدل على دقة تصنيع عالية.…