تخطى إلى المحتوى
العالِم العربي
  • الصفحة الرئيسية
  • مجالات الأبحاث
  • أحدث الأبحاث
  • عن الموقع
  • تواصل معنا
  1. الرئيسية
  2. قائمة المَجَلَّات
  3. npj Spintronics

الأبحاث في مجلة: npj Spintronics




  • الحالات المقيدة في الاستمرارية ونقاط استثنائية قريبة في نظام كافتي-ماغنوني قائم على الانعكاس

    2026 | المؤلف: Bojong Kim وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    قسم “الطرق” في ورقة البحث يوضح الإجراءات التجريبية والتحليلية المستخدمة للتحقيق في أسئلة البحث. يوضح اختيار المشاركين، بما في ذلك أي معايير للإدراج أو الاستبعاد، ويصف تقنيات جمع البيانات المستخدمة، مثل الاستطلاعات، التجارب، أو الدراسات الملاحظة. بالإضافة إلى ذلك، يحدد القسم الأساليب الإحصائية المطبقة لتحليل البيانات، بما في ذلك أي برامج مستخدمة ومستويات الدلالة المحددة…


  • المنظور: اقتران الماجنون-الماجنون في الماجنونيات الهجينة

    2026 | المؤلف: Wei Zhang وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    يتناول القسم المجال الناشئ لاقتران الماجنون-ماجنون ضمن الماجنونيات الهجينة، مع التأكيد على التفاعلات الداخلية للإثارات المغناطيسية (الماجنون) وإمكاناتها في هندسة المواد. يبرز آليات الاقتران المختلفة، مثل الاقتران التبادلي، والاقتران ثنائي القطب، وتفاعلات RKKY وDzyaloshinskii-Moriya، التي تسهل التحكم المتماسك في هياكل نطاق الماجنون. يقدم المؤلفون أمثلة على أنظمة المواد حيث يتم تنفيذ اقتران الماجنون-ماجنون، بما في…


  • الأصل المجهري للتفاعلات المغناطيسية وتوقيعاتها التجريبية في La2O3Mn2Se2 البديل المغناطيسي

    2026 | المؤلف: Laura Garcia-Gassull وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: المواد الإلكترونية والبصرية والمغناطيسية (Electronic, Optical and Magnetic Materials)

    تمثل المغناطيسات البديلة (AM) فئة جديدة من المغناطيسات تتميز بغياب المغنطة الصافية، على غرار المغناطيسات المضادة، بينما تظهر انقسام زيمان غير النسبي في الفضاء العكسي مشابه للمغناطيسات الحديدية. نموذج مهم لتحقيق AM هو شبكة ليب العكسية (ILL)، والتي، على الرغم من كونها نظرية في البداية، تم ملاحظتها في مواد مثل La$_2$O$_3$Mn$_2$Se$_2$. يتطلب تشكيل AM في…


  • المغناطيسية غير المرتبطة بالضغط في أجهزة الاستشعار المرنة

    2026 | المؤلف: Minsun Oh وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: المواد الإلكترونية والبصرية والمغناطيسية (Electronic, Optical and Magnetic Materials)

    يتناول القسم المعنون “نظرة عامة” مفهوم المغناطيسية المنفصلة عن الإجهاد في سياق أجهزة الاستشعار المرنة القائمة على السبينترونيك. يبرز أهمية دمج هندسة الإجهاد في تصميم هذه الأجهزة لتعزيز أدائها وقابليتها للتكيف. تؤكد الأبحاث أنه من خلال فصل الخصائص المغناطيسية عن الإجهاد الميكانيكي، من الممكن تحقيق مخرجات استشعار أكثر استقرارًا وموثوقية، وهو أمر حاسم للتطبيقات في…


  • الإلكترونيات المدارية في المواد ثنائية الأبعاد

    2025 | المؤلف: Tarik P. Cysne وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تتناول ورقة البحث تأثير قاعة المداري (OHE)، الذي اقترحه في البداية برنفيغ وآخرون، والذي يتوازى مع تأثير قاعة الدوران (SHE) ولكنه يركز على نقل الزخم الزاوي المداري (OAM). قدم غو وآخرون لاحقًا آلية مجهرية توضح أنه يمكن نقل OAM في الأنظمة غير المغناطيسية والمتماثلة مركزيًا من خلال تحفيز نسيج OAM غير التوازني بواسطة حقل كهربائي…


  • المواد الفيرومغناطيسية الناشئة لحقن الدوران الكهربائي: نحو إلكترونيات الدوران شبه الموصلة

    2025 | المؤلف: Yufang Xie وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تقدم هذه القسم نظرة عامة على مجال السبينترونيكس، مع تسليط الضوء على إمكانيته في تقليل استهلاك الطاقة في أجهزة الذاكرة والمنطق من خلال الاستفادة من دوران الإلكترون. التركيز الرئيسي هو على ترانزستور الدوران، الذي يواجه تحديات بشكل أساسي بسبب الكفاءة المنخفضة لحقن الدوران من الأقطاب المعدنية المغناطيسية إلى طبقات أشباه الموصلات. لتعزيز كفاءة حقن الدوران،…


  • تبديل عزم الدوران المداري الخالي من المجال وتطبيقاته

    2025 | المؤلف: Min‐Gu Kang وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تستعرض هذه القسم التقدمات في تبديل عزم الدوران المداري بدون مجال (SOT)، مع تسليط الضوء على نهجين رئيسيين: SOT التقليدي مع كسر التناظر في المستوى و SOT غير التقليدي الذي يستخدم استقطاب الدوران خارج المستوى. يدمج النهج التقليدي طرقًا مثل المجالات المغناطيسية الفعالة في المستوى، وعدم التجانس المكاني، وتدرجات كثافة التيار الدوراني لتسهيل تبديل المغنطة…


  • البيروفسكايت البديل المغناطيسي

    2025 | المؤلف: M. Naka وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: المواد الإلكترونية والبصرية والمغناطيسية (Electronic, Optical and Magnetic Materials)

    في هذا القسم، يحدد المؤلفون البيروفسكيتات المحتملة البديلة المناسبة لتوليد تيار الدوران وتأثير هول الشاذ (AHE). يبرزون عدة مواد مرشحة بناءً على تكويناتها الإلكترونية، مع التركيز بشكل خاص على تلك التي تظهر ترتيب مضاد مغناطيسي من النوع C. ومن الجدير بالذكر أن CaCrO$_3$، مع أيونات Cr$^{4+}$ في تكوين (3d)$^2$، يُقدم كمرشح واعد بسبب توصيله المعدني…


  • التقدم الأخير في ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية المدفوعة بعزم الدوران

    2024 | المؤلف: V.D. Nguyen وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تقدم هذه القسم نظرة عامة على ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية ذات عزم الدوران المداري (SOT-MRAM)، مع تسليط الضوء على إمكانياتها للتشغيل السريع والمتانة. ومع ذلك، تحدد التحديات الحرجة التي يجب معالجتها، بما في ذلك التيار المنخفض للتبديل، والحاجة إلى تبديل موثوق بدون مجال، والقضايا المتعلقة بعمليات التصنيع في النهاية الخلفية. يتم مراجعة التقدم الأخير في…


  • الإلكترونيات المغناطيسية المضادة وما بعدها

    2024 | المؤلف: A. Dal Din وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)

    تقدم هذه المقالة الاستعراضية لمحة عن التقدمات الحديثة في مجال الإلكترونيات المغناطيسية المضادة، مع تسليط الضوء على التبديل الناتج عن التيار في اتجاه متجه نيل في أفلام وطبقات مضادة مغناطيسية مختلفة. يؤكد المؤلفون على إمكانيات الحركة المدفوعة بالتيار لنسيج الدوران المضاد المغناطيسي، والذي، على الرغم من التحديات في قراءة حالاته المغناطيسية، يقدم مزايا بسبب حجمه…


1 2
التالي→

حقوق النشر © 2026 العالِم العربي. جميع الحقوق محفوظة. موقع العالِم العربي غير مسؤول عن محتوى المواقع الخارجية.