الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: الإلكترونيات المغزلية
-
تبديل المغنطة الثابتة في طبقة متعددة مضادة للمغناطيسية الاصطناعية مدفوعة بتأثير أنيسوتروبي مغناطيسي يتحكم فيه الجهد
2026 | المؤلف: Hiroyasu Nakayama وآخرون | المجلة: Nature Materials | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذا القسم، يقدم المؤلفون نتائجهم حول التوجه المغناطيسي المعتمد على الجهد (VCMA) الذي يحفز تبديل عزم الدوران الناتج عن نقل الدوران (VCMA-SMS) باستخدام طبقات مضادة مغناطيسية صناعية. لقد تمكنوا بنجاح من التلاعب بالتبادل الفعال بين الطبقات (IEC) للمغناطيس المضاد الصناعي من خلال الجهد المطبق، محققين VCMA-SMS موثوق تحت مجال مغناطيسي ثابت. يتناقض هذا النهج…
-
المغنطة المتماسكة المستحثة بواسطة التجاويف والبولاريتونات في الألترماغنتات
2026 | المؤلف: Mohsen Yarmohammadi وآخرون | المجلة: Physical Review Letters | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تبحث هذه الدراسة في خصائص الألترمغناطيس، والتي تتميز بشبكات دوران مضادة متوازية تظهر ترتيب دوران d-، g-، أو i-wave، مما يؤدي إلى انقسام دوران غير نسبي دون مغناطيسية صافية. يظهر المؤلفون أن تضمين ألترمغناطيس ثنائي الأبعاد من نوع d-wave داخل تجويف بصري مدفوع يمكن أن يحفز مغناطيسية محدودة وقابلة للتعديل. تنشأ هذه الظاهرة من قيادة…
-
الكهرباء الحديدية المتحركة المستحثة والمبدلة في هيكل هجين من GaSe-VPSe3-GaSe مع تأثير مغناطيسي كهربائي قوي
2026 | المؤلف: Pengqiang Dong وآخرون | المجلة: Acta Materialia | المجال: المواد الإلكترونية والبصرية والمغناطيسية (Electronic, Optical and Magnetic Materials)تبحث الدراسة في الاقتران المغناطيسي الكهربائي في الألترمغناطيس، الذي يجمع بين خصائص المغناطيسات الحديدية والمغناطيسات المضادة، مما يقدم فرصًا جديدة لذاكرة عالية الكثافة وأجهزة سبينترونيك فعالة من حيث الطاقة. تركز الدراسة على هيكل متعدد الطبقات من GaSe-VPSe3-GaSe، حيث يمكن تبديل النظام المغناطيسي بين الحالات الألترمغناطيسية والمضادة التقليدية من خلال التلاعب بالتماثل العكسي المكاني وتماثل عكس…
-
إشارة دوران كبيرة وتصحيح دوران في الجرافين ذو الطبقتين المطويتين
2026 | المؤلف: Md. Anamul Hoque وآخرون | المجلة: npj 2D Materials and Applications | المجال: كيمياء المواد (Materials Chemistry)تقدم البحث جهاز صمام مغناطيسي من الجرافين ذو طبقتين مطويتين يظهر تقدمًا كبيرًا في الإلكترونيات المعتمدة على الدوران، خاصةً للتطبيقات في الذاكرة غير المتطايرة، والمنطق، والحوسبة العصبية. يُظهر الجهاز إشارات دوران غير محلية عملاقة في نطاق الميلي فولت، إلى جانب تأثيرات تصحيح الدوران الملحوظة، والتي تعتبر حاسمة لتطوير مكونات سبينترونيك نشطة. تشمل النتائج الرئيسية حقن…
-
دوران المغناطيسية المتغيرة ودائرة الدوران
2026 | المؤلف: L. Liu وآخرون | المجلة: Physical Review Letters | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تبحث هذه الدراسة في خصائص النقل الكمي المعتمد على الدوران في إعداد متعدد الأطراف باستخدام مغناطيس بديل من نوع d-wave، مما يبرز إمكانياته لتطبيقات سبينترونيك. تكشف الدراسة أن انقسام الدوران المغناطيسي البديل في فضاء الزخم يؤدي إلى دوران ملحوظ للدوران في الفضاء الحقيقي ثنائي الأبعاد، مما ينتج أنماط دوران مميزة. يتم ملاحظة هذا الدوران كتحوير…
-
التبديل الحتمي للمتجه نيل بواسطة عزم الدوران غير المتماثل
2026 | المؤلف: Shui-Sen Zhang وآخرون | المجلة: Physical Review Letters | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذا القسم، يقوم المؤلفون بالتحقيق في تبديل متجه نيل، وهو معامل الترتيب في المواد المضادة للمغناطيسية المتوازية، والذي يعد أساسياً لتشفير المعلومات في أجهزة السبينترونيك المضادة للمغناطيسية (AFM). يقدمون نهجاً جديداً لتحقيق تبديل حتمي لمتجه نيل من خلال عزم الدوران الناتج عن التيار، مشددين على أن هذا يمكن أن يحدث عندما تكون تراكمات السبين…
-
تأثير هول النقي غير الخطي المدفوع بالتماثل
2026 | المؤلف: Zhenyun Du وآخرون | المجلة: Physical review. B./Physical review. B | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذا القسم، يقدم المؤلفون تأثير هول النقي غير الخطي (NPSHE) الجوهري، الذي يسهل توليد تيارات سبين نقية—نقل الزخم الزاوي للسبين دون تدفق الشحنة المصاحب. هذه الظاهرة أساسية لتقدم أجهزة السبينترونيك الموفرة للطاقة التي تقلل من تسخين جول. تكشف الدراسة أن كل من تيارات هول الخطية والتي من الدرجة الثانية غير موجودة في هذا السياق،…
-
كسر التناظر المغناطيسي المدفوع بـ “الانهيار المغناطيسي العكسي” في مغناطيس بديل من نوع d-wave KV2Se2O
2026 | المؤلف: Xu Yan وآخرون | المجلة: Science China Physics Mechanics and Astronomy | المجال: المواد الإلكترونية والبصرية والمغناطيسية (Electronic, Optical and Magnetic Materials)تناقش هذه القسم الخصائص الفريدة للألترمغناطيس، مع التركيز بشكل خاص على KV2Se2O، الذي يظهر سلوكًا ألترمغناطيسيًا من نوع d-wave يتميز بانتقال الطور من حالة مضادة للمغناطيس (C-type) إلى حالة موجة كثافة الدوران (SDW) مع انخفاض درجة الحرارة. ومن الجدير بالذكر أنه بينما تشير طيفية الانبعاث الضوئي ذات الزاوية المحللة (ARPES) إلى تغييرات طفيفة في سطح…
-
التبديل البصري لمغناطيس شيرن موير
2026 | المؤلف: Xiangbin Cai وآخرون | المجلة: Nature | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تقدم البحث بروتوكول تحكم بصري جديد للتلاعب بحالات الفيرومغناطيسية الجزئية في طبقات MoTe2 الملتوية باستخدام الضوء المستقطب دائريًا (CPL). تتيح هذه الطريقة التبديل البصري الفعال لتوجهات الدوران في نظام الفيرومغناطيسية الطوبولوجية عند عدم وجود حقل مغناطيسي، مع كثافة طاقة ضوء مضخة منخفضة بشكل ملحوظ تبلغ 28 ناناطن·µم\(^{-2}\). توضح الدراسة جدوى دورة حالتين مغناطيسيتين والكتابة المكانية…
-
لولبيات ثلاثية الأبعاد مصنوعة نانو من معدن وييل المغناطيسي مع نقل إلكتروني غير متبادل قابل للتبديل
2026 | المؤلف: Zhenyun Du | المجلة: Nature Nanotechnology | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تناقش هذه القسم العلاقة بين الخصائص الناشئة للمواد والتناظرات في ترتيبها الذري، والدوران، والشحنة، مع تسليط الضوء على القيود المفروضة من الخصائص الجوهرية للمواد المستقرة. لقد سمحت التقدمات الأخيرة في تصنيع شعاع الأيونات المركزة (FIB) بالتحكم الدقيق في النانوي للبلورات الضخمة، مما يمكّن من دراسة التأثيرات الهندسية على المقاييس الميسوسكوبية. يمدد المؤلفون هذا الاستكشاف إلى…
