الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: الإلكترونيات المغزلية
-
العلاقة بين الهيكل والخصائص الفيزيائية في نانو بيروفسكايت LaFeO3 المدعوم بالمغنيسيوم والمصنوع بالطريقة الخضراء
2026 | المؤلف: Abdalrahman M. Rayan وآخرون | المجلة: Scientific Reports | المجال: المواد الإلكترونية والبصرية والمغناطيسية (Electronic, Optical and Magnetic Materials)في هذه الدراسة، تم تخليق جزيئات نانوية من La$_{1-x}$Mg$_x$FeO$_3$ (0.0 ≤ x ≤ 0.20) باستخدام طريقة تخليق صديقة للبيئة تتضمن مستخلص أوراق المورينغا. ركز البحث على تأثيرات استبدال Mg²⁺ على الخصائص الهيكلية، العازلة، والمغناطيسية لـ LaFeO₃. أظهرت أشعة X-ray والتهذيب باستخدام طريقة ريتفيلد انتقالًا في الطور من التناظر المكعب (Pm-3m) إلى التناظر المعيني (Pnma) عند…
-
تأثير هول الشاذ في المغناطيسيات الخطية ثنائية الأبعاد من النوع الرابع
2025 | المؤلف: Zhenyun Du وآخرون | المجلة: Physical Review Letters | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذا البحث، يقدم المؤلفون فئة جديدة من الأطوار المغناطيسية الخطية ثنائية الأبعاد (2D)، تُسمى مغناطيسات النوع الرابع، والتي تتجاوز التصنيفات التقليدية للمغناطيسات الحديدية، والمغناطيسات المضادة، والمغناطيسات البديلة. تتميز هذه المغناطيسات الخطية ثنائية الأبعاد من النوع الرابع بوجود نطاقات متساوية الدوران في الحد غير النسبي، ومع ذلك تظهر ظواهر كسر تناظر عكس الزمن، مثل تأثير…
-
المواد الفيرومغناطيسية الناشئة لحقن الدوران الكهربائي: نحو إلكترونيات الدوران شبه الموصلة
2025 | المؤلف: Yufang Xie وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تقدم هذه القسم نظرة عامة على مجال السبينترونيكس، مع تسليط الضوء على إمكانيته في تقليل استهلاك الطاقة في أجهزة الذاكرة والمنطق من خلال الاستفادة من دوران الإلكترون. التركيز الرئيسي هو على ترانزستور الدوران، الذي يواجه تحديات بشكل أساسي بسبب الكفاءة المنخفضة لحقن الدوران من الأقطاب المعدنية المغناطيسية إلى طبقات أشباه الموصلات. لتعزيز كفاءة حقن الدوران،…
-
نحو تأثير هول الكمي الشاذ في MnBi2Te4 المغطاة بـ AlOx
2025 | المؤلف: Yongqian Wang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تتناول ورقة البحث تأثير هول الشاذ الكمي في المغناطيس المضاد الطبقي MnBi$_2$Te$_4$، مع تسليط الضوء على إمكانياته للأجهزة الإلكترونية منخفضة الطاقة والإلكترونيات المغناطيسية المضادة الطوبولوجية. يعتبر MnBi$_2$Te$_4$ فريدًا كونه المادة الوحيدة المعروفة التي تظهر هذا التأثير، ومع ذلك، لا تزال هناك تحديات، لا سيما في تحقيق التكميم عند وجود مجال مغناطيسي صفر بسبب صعوبات في…
-
تتبع العلاقة بين بنية السبينترونيك وآلية تفاعل تطور الأكسجين لمحفز كهربائي قائم على الكوبالت والروثينيوم
2025 | المؤلف: Chen Wang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الطاقة المتجددة والاستدامة والبيئة (Renewable Energy, Sustainability and the Environment)تسلط الأبحاث الضوء على أهمية تنظيم الهيكل السبينتروني للكهارل الكهربائي لتعزيز أداء تفاعل تطور الأكسجين (OER). على وجه التحديد، تحقق الدراسة في أكسيد الروثينيوم-الكوبالت-القصدير الذي يظهر هيكل سبينتروني محسن بسبب التفاعلات الكمية بين Ru و Co. يسهل هذا الهيكل الفريد تحسين كينيات نقل الشحنات وتطور الوسائط التفاعلية تحت الجهد المطبق، مما يؤدي إلى تشكيل أنواع…
-
تنظيم شغل الدور المداري لعنصر البلاتين من أجل محفز منخفض البلاتين قوي نحو تقليل الأكسجين
2024 | المؤلف: Dongping Xue وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الطاقة المتجددة والاستدامة والبيئة (Renewable Energy, Sustainability and the Environment)تبحث هذه الدراسة في قيود تنشيط روابط O-O وتأثيرات حجب مواقع OH* على مواقع البلاتين (Pt)، والتي تعتبر حاسمة لتعزيز أداء المحفزات منخفضة البلاتين في تفاعل اختزال الأكسجين (ORR). يقدم المؤلفون تصميمًا مبتكرًا للمحفز، يدمج بلورات نانوية من سبيكة PtFe على ركيزة من الحديد أحادي الذرة Fe-N-C (المشار إليها باسم PtFe@Fe SAs-N-C). يتم تعزيز هذا…
-
حركة ثابتة للسكيرميونات بحجم 80 نانومتر في مسار بعرض 100 نانومتر
2024 | المؤلف: Dongsheng Song وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذه الدراسة، تم إجراء تصوير مغناطيسي لورنتز باستخدام مجهر إلكتروني نافذ من طراز Thermo Fisher Talos F200X (TEM) في وضع لورنتز عند 200 كيلوفولت، مع إيقاف تشغيل العدسة الموضوعية لإنشاء بيئة خالية من المجال المغناطيسي. تم معايرة المجال المغناطيسي خارج المستوى \( B \) باستخدام مستشعر تأثير هول. استخدم الإعداد التجريبي حامل نقل حراري…
-
الإلكترونيات المغناطيسية المضادة وما بعدها
2024 | المؤلف: A. Dal Din وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تقدم هذه المقالة الاستعراضية لمحة عن التقدمات الحديثة في مجال الإلكترونيات المغناطيسية المضادة، مع تسليط الضوء على التبديل الناتج عن التيار في اتجاه متجه نيل في أفلام وطبقات مضادة مغناطيسية مختلفة. يؤكد المؤلفون على إمكانيات الحركة المدفوعة بالتيار لنسيج الدوران المضاد المغناطيسي، والذي، على الرغم من التحديات في قراءة حالاته المغناطيسية، يقدم مزايا بسبب حجمه…
-
التقاء السبينترونيكس بالأوربيترونيكس: ظهور الزخم الزاوي المداري في المواد الصلبة
2024 | المؤلف: Daegeun Jo وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تقدم ورقة البحث خلفية نظرية أساسية لفهم سياق الدراسة وأهميتها. توضح المفاهيم والإطارات الرئيسية التي تدعم البحث، مما يضع أساسًا للفرضيات والأساليب المستخدمة. تؤكد هذه القسم على أهمية هذه البنى النظرية في معالجة الأسئلة البحثية المطروحة. علاوة على ذلك، تسلط ال الضوء على النتائج السابقة في هذا المجال، موضحة كيف تُعلم هذه النتائج الدراسة الحالية.…
-
وصلات النفق المضادة للمغناطيسية للإلكترونيات المغناطيسية
2024 | المؤلف: Ding‐Fu Shao وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تتناول المقالة الاستعراضية المجال الناشئ للإلكترونيات المغناطيسية المضادة (AFM)، والذي يستخدم متجه نيل (Néel) كمتغير حالة للتطبيقات المتقدمة في الإلكترونيات المغناطيسية. تسلط الضوء على أهمية التحكم الكهربائي الفعال واكتشاف متجه نيل، خصوصًا من خلال وصلات النفق المغناطيسية المضادة (AFMTJs). يؤكد المؤلفون على الشروط الأساسية لتحقيق تأثير مقاومة مغناطيسية نفقية كبيرة (TMR) في AFMTJs، بما في…