في هذا القسم، يتناول المؤلفون التحديات في تطوير جهات اتصال من النوع p عالية الأداء لترانزستورات تأثير المجال ثنائية الأبعاد (2D FETs)، والتي تعتبر ضرورية لإنشاء دوائر مكملة تنافسية. يقدمون نهجًا جديدًا من خلال إظهار نمو السيلينيوم المعدني (m-Te) على MoTe\(_2\) من خلال التبخر، مما يثبت أنه جهة اتصال فعالة من النوع p. تسلط الدراسة…