الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: ذاكرة الوصول العشوائي
-
استغلال تأثير هول المداري في ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية ذات العزم الدوراني للسبين
2025 | المؤلف: Rahul Gupta وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تقدم هذه القسم نظرة عامة على ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية (MRAM) ذات عزم الدوران المداري (SOT)، مع التركيز على مزاياها مقارنةً بـ RAM الثابتة، مثل كفاءة الطاقة المحسنة، وعدم التقلب، والأداء، خاصةً لتطبيقات ذاكرة التخزين المؤقت. تركز الدراسة على هندسة مغناطيسية ذات أنيسوتروبية مغناطيسية عمودية (PMA)، وتحديداً هيكل [Co/Ni]₃، مع طبقات مختلفة تظهر تأثير هول…
-
التقدم الأخير في ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية المدفوعة بعزم الدوران
2024 | المؤلف: V.D. Nguyen وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تقدم هذه القسم نظرة عامة على ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية ذات عزم الدوران المداري (SOT-MRAM)، مع تسليط الضوء على إمكانياتها للتشغيل السريع والمتانة. ومع ذلك، تحدد التحديات الحرجة التي يجب معالجتها، بما في ذلك التيار المنخفض للتبديل، والحاجة إلى تبديل موثوق بدون مجال، والقضايا المتعلقة بعمليات التصنيع في النهاية الخلفية. يتم مراجعة التقدم الأخير في…