الأبحاث ضمن الموضوع : أجهزة ومواد أشباه الموصلات القائمة على GaN
-
هياكل هتروستركتشر متعددة القنوات عالية الحركة AlScN/GaN
High mobility multiple-channel AlScN/GaN heterostructures2026 | المؤلف: Aias Asteris وآخرون | المجلة: Journal of Applied Physics | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)تبحث الدراسة في خصائص النقل لغازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (2DEGs) في هياكل الألمنيوم سكنديم نيتريد (AlScN)/نيتريد الغاليوم (GaN)، مع تسليط الضوء على إمكاناتها كمواد حواجز لترانزستورات متقدمة تعتمد على GaN في تطبيقات الترددات الراديوية. تسجل الدراسة أدنى قيم مقاومة ورقية لأنظمة AlScN حتى الآن، والتي تم تحقيقها من خلال إدخال طبقات بينية من GaN/AlN في…
-
نموذج تسلسلي لنقش العيوب المدفوعة في عواكس براغ الموزعة من GaN المسامية
A cascade model for the defect-driven etching of porous GaN distributed Bragg reflectors2026 | المؤلف: Ben Thornley وآخرون | المجلة: Acta Materialia | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)تقدم البحث نهجًا جديدًا لتصنيع عواكس براج الموزعة (DBRs) من GaN المسامي من خلال الحفر الكهروكيميائي الانتقائي للطبقات المضافة بالسيليكون، المتداخلة مع الطبقات غير المضافة عمدًا (NID). تتجاوز هذه الطريقة التحديات المرتبطة بالسبائك التقليدية في نمو III-nitride، باستخدام عملية حفر مدفوعة بالعيوب تستغل العيوب المتداخلة لإنشاء قنوات نانوية لنقل المحلول الكيميائي. يقدم البحث توصيفًا ثلاثي…