تخطى إلى المحتوى
العالِم العربي
  • الصفحة الرئيسية
  • مجالات الأبحاث
  • عن الموقع
  • تواصل معنا
  1. الرئيسية
  2. قائمة الموضوعات الرئيسية
  3. أجهزة ومواد أشباه الموصلات القائمة على GaN

الأبحاث ضمن الموضوع : أجهزة ومواد أشباه الموصلات القائمة على GaN




  • هياكل هتروستركتشر متعددة القنوات عالية الحركة AlScN/GaN

    2026 | المؤلف: Aias Asteris وآخرون | المجلة: Journal of Applied Physics | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تبحث الدراسة في خصائص النقل لغازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (2DEGs) في هياكل الألمنيوم سكنديم نيتريد (AlScN)/نيتريد الغاليوم (GaN)، مع تسليط الضوء على إمكاناتها كمواد حواجز لترانزستورات متقدمة تعتمد على GaN في تطبيقات الترددات الراديوية. تسجل الدراسة أدنى قيم مقاومة ورقية لأنظمة AlScN حتى الآن، والتي تم تحقيقها من خلال إدخال طبقات بينية من GaN/AlN في…


  • تقييم الخصائص الهيكلية وطاقة العيوب في سبائك Al x Ga1− x N

    2026 | المؤلف: Farshid Reza وآخرون | المجلة: Journal of Applied Physics | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تبحث الدراسة في طاقة العيوب في سبائك Al$_x$Ga$_{1-x}$N، والتي تعتبر حاسمة للأجهزة الضوئية والأجهزة الكهربائية، باستخدام إمكانيات بين الذرات المعتمدة على التعلم الآلي (MLIP). تبدأ الدراسة بالتحقق من صحة MLIP مقابل الخصائص المعروفة للمركبات الثنائية GaN و AlN، بما في ذلك معادلة الحالة، وثوابت الشبكة، وطاقة تشكيل العيوب وهجرة العيوب. بعد هذه التحقق، يتم استخدام…


  • ترسيب البخار الكيميائي للنترات بواسطة سوابق برومينية خالية من الكربون

    2026 | المؤلف: Stefano Leone وآخرون | المجلة: physica status solidi (a) | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تركز الأبحاث على النمو الطبقي لمركبات أشباه الموصلات من مجموعة النيتريد 13، وبشكل خاص GaN و AlN وسبائك AlGaN، باستخدام ترسيب البخار الكيميائي المعدني العضوي (MOCVD) مع مواد أولية خالية من الكربون. بينما تعتبر الطرق التقليدية التي تستخدم الجزيئات المعدنية العضوية فعالة من حيث التكلفة ومنتجة، إلا أنها تقدم شوائب كربونية تؤثر سلبًا على أداء…


  • نموذج تسلسلي لنقش العيوب المدفوعة في عواكس براغ الموزعة من GaN المسامية

    2026 | المؤلف: Ben Thornley وآخرون | المجلة: Acta Materialia | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تقدم البحث نهجًا جديدًا لتصنيع عواكس براج الموزعة (DBRs) من GaN المسامي من خلال الحفر الكهروكيميائي الانتقائي للطبقات المضافة بالسيليكون، المتداخلة مع الطبقات غير المضافة عمدًا (NID). تتجاوز هذه الطريقة التحديات المرتبطة بالسبائك التقليدية في نمو III-nitride، باستخدام عملية حفر مدفوعة بالعيوب تستغل العيوب المتداخلة لإنشاء قنوات نانوية لنقل المحلول الكيميائي. يقدم البحث توصيفًا ثلاثي…


  • النقل المدعوم بالانزياح للإلكترونات والفجوات في طبقات GaN الرفيعة

    2025 | المؤلف: Yixu Yao وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تناقش هذه الفقرة الدور المحوري للعيوب في التأثير على نقل الحاملات داخل أشباه الموصلات، وخاصة في نيتريد الغاليوم (GaN). تسلط الضوء على أنه بينما تعمل مقاطع العيوب العمودية على قناة التوصيل كمراكز تشتت تعيق تدفق الإلكترونات، يمكن أن تسهل نوى العيوب اللولبية والحدودية نقل الحاملات. تقدم الدراسة أدلة تجريبية جديدة توضح آليات نقل متميزة للإلكترونات…


  • التقدم التكنولوجي السريع في الصمامات الثنائية الباعثة للضوء الأبيض ومصدره في الابتكار وتدفقات التكنولوجيا

    2025 | المؤلف: Michael Weinold وآخرون | المجلة: Nature Energy | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    قسم “الطرق” في ورقة البحث يحدد تصميم التجربة والتقنيات التحليلية المستخدمة للتحقيق في سؤال البحث. استخدمت الدراسة نهجًا كميًا، يتضمن تحليلات إحصائية لتقييم العلاقات بين المتغيرات. شملت جمع البيانات استبيانًا منظمًا تم إدارته لعينة تمثيلية، مما يضمن موثوقية وصلاحية النتائج. لتحليل البيانات، طبق الباحثون اختبارات إحصائية متنوعة، بما في ذلك تحليل الانحدار وANOVA، لتحديد دلالة…


  • تحديد تجريبي للاستقطاب العملاق في أشباه الموصلات من نوع وورتزيت III-نيتريد

    2025 | المؤلف: Haotian Ye وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    في هذه الدراسة، تم زراعة أفلام M-polar InN و ScAlN على قوالب GaN/الياقوت، بينما تم ترسيب أفلام N-polar AlN و GaN و InN و ScAlN على ركائز C-face 4H-SiC باستخدام نظام SVTA لنمو الطبقات بالليزر الجزيئي (MBE). تضمنت إعدادات MBE مصدر بلازما النيتروجين بتردد راديوي (RF) من Veeco Unibulb وخلايا كنودسن مزدوجة الفتيلة لمصادر الألمنيوم…


  • شاشات الصمام الثنائي الباعث للضوء بالأشعة فوق البنفسجية العميقة AlGaN عالية القدرة للطباعة الضوئية بدون قناع

    2024 | المؤلف: Feng Feng وآخرون | المجلة: Nature Photonics | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تقدم البحث تقدمًا في تصنيع مصابيح LED الدقيقة UVC عالية الكفاءة، بأحجام تتراوح من 3 ميكرومتر إلى 100 ميكرومتر. ومن الجدير بالذكر أن أصغر جهاز، الذي يقيس 3 ميكرومتر، يحقق كفاءة كمية خارجية قصوى (EQE) تبلغ 5.7% وكثافة أقصى لقوة الإضاءة (LOP) تبلغ 396 واط سم$^{-2}$. تُعزى هذه التحسينات إلى تحسين استخراج الضوء، وتبديد الحرارة،…


  • مصابيح Micro-LED ذات السطوع الفائق مع طبقات غاز نيتريد الغاليوم على السيليكون بحجم الرقاقة

    2024 | المؤلف: Haifeng Wu وآخرون | المجلة: Light Science & Applications | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تناقش هذه القسم التقدم في الصمامات الثنائية الباعثة للضوء الدقيقة القائمة على نيتريد الغاليوم (GaN)، مع تسليط الضوء على إمكانياتها في تقنيات العرض الدقيقة والعرض الافتراضي. على الرغم من وعد الصمامات الثنائية الباعثة للضوء الدقيقة بأحجام بكسل أصغر من 10 ميكرومتر، إلا أن التحديات مثل تلف الجدران الجانبية وكفاءة استخراج الضوء المنخفضة قد أعاقت أدائها.…


  • ثنائيات الباعث للضوء فوق البنفسجي العميق القائمة على AlGaN عالية الكفاءة: من هندسة فجوة الطاقة إلى حرفة الأجهزة

    2024 | المؤلف: Xu Liu وآخرون | المجلة: Microsystems & Nanoengineering | المجال: فيزياء المادة المكثفة (Condensed Matter Physics)

    تقدم البحث تقدمًا في الصمامات الثنائية الباعثة للضوء (LEDs) المعتمدة على AlGaN المصممة لتطبيقات الأشعة فوق البنفسجية العميقة (DUV) (210-280 نانومتر)، خاصة في سياق التعقيم الفيزيائي. يتناول الدراسة تحدي الكفاءة الكمية الخارجية المنخفضة (EQE) في هذه الأجهزة من خلال استخدام مزيج من هندسة فجوة الطاقة وتصميم الأجهزة المبتكر. يذكر المؤلفون أنهم حققوا قدرة إخراج ضوئي…


1 2
التالي→

حقوق النشر © 2026 العالِم العربي. جميع الحقوق محفوظة. موقع العالِم العربي غير مسؤول عن محتوى المواقع الخارجية.