الأبحاث ضمن الموضوع : مواد وأجهزة أشباه الموصلات
-
أفلام العوازل عالية الكثافة HfO2 على مقياس الرقاقة بسماكة أكسيد تعادل أقل من 5 أنغستروم لترانزستورات MoS2 ثنائية الأبعاد
2026 | المؤلف: Songge Zhang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)في هذا القسم، يناقش المؤلفون أهمية العوازل عالية الكثافة (high-κ) في تكنولوجيا الترانزستورات الحديثة، وخاصة لتعزيز التحكم السعوي وتقليل تيارات التسرب. يسلطون الضوء على التحديات المرتبطة بتحقيق عوازل عالية الكثافة متوافقة مع الصناعة بسمك أكسيد مكافئ (EOT) أقل من 5 أنغستروم. تقدم الدراسة تصنيعًا ناجحًا لعوازل أكسيد الهافنيوم (HfO₂) بسمك 1.3 نانومتر باستخدام عملية ترسيب…
-
عوازل أكسيد المعادن أحادية البلورة لترانزستورات ثنائية الأبعاد ذات البوابة العلوية
2024 | المؤلف: Daobing Zeng وآخرون | المجلة: Nature | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)تناقش هذه القسم التحديات والتقدم في تطوير ترانزستورات تأثير الحقل ثنائية الأبعاد (2D) باستخدام مواد رقيقة ذريًا. على الرغم من الخصائص الفيزيائية والكهربائية الواعدة للمواد ثنائية الأبعاد مثل ثنائي كبريتيد الموليبدينوم (MoS₂)، فإن نقص العوازل عالية الجودة المناسبة قد أعاق إمكاناتها الكاملة في تطبيقات الترانزستور. يقدم المؤلفون نهجًا جديدًا من خلال تصنيع أكسيد الألمنيوم أحادي…