الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: الإلكترونيات المغزلية
-
وصلات النفق المضادة للمغناطيسية للإلكترونيات المغناطيسية
2024 | المؤلف: Ding‐Fu Shao وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)تتناول المقالة الاستعراضية المجال الناشئ للإلكترونيات المغناطيسية المضادة (AFM)، والذي يستخدم متجه نيل (Néel) كمتغير حالة للتطبيقات المتقدمة في الإلكترونيات المغناطيسية. تسلط الضوء على أهمية التحكم الكهربائي الفعال واكتشاف متجه نيل، خصوصًا من خلال وصلات النفق المغناطيسية المضادة (AFMTJs). يؤكد المؤلفون على الشروط الأساسية لتحقيق تأثير مقاومة مغناطيسية نفقية كبيرة (TMR) في AFMTJs، بما في…
-
الهياكل المغناطيسية ثنائية الأبعاد: الإلكترونيات المغناطيسية والمستقبل الكمي
2024 | المؤلف: Bingyu Zhang وآخرون | المجلة: npj Spintronics | المجال: كيمياء المواد (Materials Chemistry)ظهور المغناطيسية ثنائية الأبعاد (2D) في المواد الرقيقة ذريًا المشتقة من البلورات المغناطيسية الطبقية قد حفز تقدمًا كبيرًا في دراسة الهياكل المغناطيسية. يقدم هذا المجال منصة جديدة لاستكشاف ظواهر فيزيائية فريدة على النانو، مع تطبيقات محتملة في الذاكرة المغناطيسية عالية الكثافة، والحوسبة العصبية، ومعالجة المعلومات الكمومية. تركز المراجعة على التطورات الأخيرة في المواد المغناطيسية ثنائية…
-
تفاعل المغناطيسية البديلة والمغناطيسية الضعيفة في RuF4 ثنائي الأبعاد
2024 | المؤلف: Marko Milivojević وآخرون | المجلة: 2D Materials | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)في هذه الدراسة، يحقق المؤلفون في خصائص طبقات RuF\(_4\) الأحادية، محددين إياها كألكترومغناطيسيات بديلة ثنائية الأبعاد تتميز بعدم وجود مغنطة صافية وشرائط إلكترونية مقسمة حسب الدوران. باستخدام نظرية الكثافة الوظيفية وتحليل التناظر، يكشفون أن اقتران الدوران-المدار يؤدي إلى تقسيم كبير للدوران بحوالي 100 مي eV عند نقطة Γ، مما يؤدي إلى ظهور مغنطة ضعيفة بسبب…
-
مراحل متميزة من السكيرميون في درجة حرارة الغرفة في المغناطيس الحديدي ثنائي الأبعاد Fe3GaTe2
2024 | المؤلف: Xiaowei Lv وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)يتناول هذا القسم اكتشاف مراحل سكريمون متميزة في المغناطيس الحديدي Fe$_3$GaTe$_2$ عند درجة حرارة الغرفة، مما يقدم فرصًا جديدة لتطوير أجهزة سبينترونيك المعتمدة على الطوبولوجيا. تبرز الأبحاث الملاحظة التجريبية لسكريمون من نوع مختلط يظهر خصائص كل من بلوتش والهجين، مما يعالج تحديًا كبيرًا في تحقيق مراحل سكريمون متعددة في المغناطيس ثنائي الأبعاد (2D)، خاصة عند…
-
التحكم في لولبية الضوء من خلال تبديل المغنطة الكهربائية
2024 | المؤلف: Pambiang Abel Dainone وآخرون | المجلة: Nature | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)يتناول هذا القسم دمج الفوتونيات والإلكترونيات والسبينترونيك من خلال تعديل الاستقطاب الدائري للضوء المنبعث عبر مغنطة يتم التحكم فيها كهربائيًا في الصمامات الثنائية الباعثة للضوء (LEDs). يظهر المؤلفون أنه عند درجة حرارة الغرفة وبدون مجال مغناطيسي مطبق، يمكن أن يؤدي انتقال الزخم الزاوي بين الفوتونات والإلكترونات والمغناطيسات الحديدية إلى التحكم في الاستقطاب الدائري. يتم تحقيق…
-
حركة السكيرميون المغناطيسي المدفوعة بالصوت
2024 | المؤلف: Yang Yang وآخرون | المجلة: Nature Communications | المجال: الفيزياء الذرية والجزيئية والبصريات (Atomic and Molecular Physics, and Optics)يمكن التحكم في السكيرميونات المغناطيسية، التي تُعتبر مرشحة واعدة لأجهزة السبينترونيك، باستخدام الموجات الصوتية السطحية (SAWs) من خلال تأثير المغناطيسية المرنة. تقدم هذه الدراسة أدلة تجريبية على الحركة الاتجاهية للسكيرميونات من نوع نيل في طبقات متعددة من Ta/CoFeB/MgO/Ta، مدفوعة بشكل فعال بواسطة الموجات الأفقية القصية، بينما تفشل موجات رايلي (التي تتضمن إزاحات طولية ورأسية قصية)…
