تقدم هذه القسم نظرة عامة على ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية (MRAM) ذات عزم الدوران المداري (SOT)، مع التركيز على مزاياها مقارنةً بـ RAM الثابتة، مثل كفاءة الطاقة المحسنة، وعدم التقلب، والأداء، خاصةً لتطبيقات ذاكرة التخزين المؤقت. تركز الدراسة على هندسة مغناطيسية ذات أنيسوتروبية مغناطيسية عمودية (PMA)، وتحديداً هيكل [Co/Ni]₃، مع طبقات مختلفة تظهر تأثير هول…

تناقش هذه الفقرة التقدمات الأخيرة في دراسة أكياس السكيرميون، وهي هياكل طوبولوجية تتميز بشحنة طوبولوجية عشوائية \( Q \). تكتسب هذه الأنظمة عالية \( Q \) اهتمامًا لتطبيقاتها المحتملة في المغناطيسية الطوبولوجية والإلكترونيات المغناطيسية، لا سيما بسبب مرونتها في ترميز المعلومات. يقدم المؤلفون نتائج حول إنشاء ومعالجة أكياس السكيرميون الفردية في درجة حرارة الغرفة داخل…