تقدم البحث نهجًا جديدًا لتصنيع عواكس براج الموزعة (DBRs) من GaN المسامي من خلال الحفر الكهروكيميائي الانتقائي للطبقات المضافة بالسيليكون، المتداخلة مع الطبقات غير المضافة عمدًا (NID). تتجاوز هذه الطريقة التحديات المرتبطة بالسبائك التقليدية في نمو III-nitride، باستخدام عملية حفر مدفوعة بالعيوب تستغل العيوب المتداخلة لإنشاء قنوات نانوية لنقل المحلول الكيميائي. يقدم البحث توصيفًا ثلاثي…