الأبحاث المرتبطة بالكلمة المفتاحية: عقدة تكنولوجيا 7 نانومتر

تحسين ومعايرة ذاكرة خلايا الكسب القابلة للتكديس بشكل أحادي للذاكرة المؤقتة من المستوى الأخير Optimization and Benchmarking of Monolithically Stackable Gain Cell Memory for Last-Level Cache

2026 | المؤلف: Faaiq Waqar وآخرون | المجلة: IEEE Transactions on Computers | المجال: الهندسة الكهربائية والإلكترونية (Electrical and Electronic Engineering)

تقدم هذه القسم نظرة عامة على التقدم في تقنية الذاكرة المؤقتة من المستوى الأخير (LLC)، مع التركيز بشكل خاص على استخدام ترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد غير متبلور (AOS) كبديل محتمل لذاكرة SRAM عالية الكثافة. مع الركود في تقليص الترانزستورات وزيادة الطلب على ذاكرات مؤقتة أكبر على الشريحة، تستكشف الورقة تقنيات التكامل ثلاثي الأبعاد الأحادي (M3D)…