لقد تقدم تصغير ترانزستورات تأثير المجال من نوع أكسيد المعدن شبه الموصل (MOSFETs) بشكل كبير في تكنولوجيا الدوائر المتكاملة على مدى الستة عقود الماضية. ومع ذلك، فإن تحقيق أطوال بوابة أقل من 10 نانومتر يمثل تحديات بسبب تأثير القناة القصيرة. توفر المواد ثنائية الأبعاد (2DMs)، التي تتميز بسماكتها على المستوى الذري وخصائص الربط الفريدة، بدائل…